CAPACITÉ:    

Épaisseur d’oxyde thermique: 140 ± 6 nm et 900 ± 20 nm

Non uniformité de l’épaisseur de la tranche: 0,5% (1 sigma)

Non-uniformité d’épaisseur de tranche à tranche: 0,4% (1 sigma)

Taille de la tranche: 150 mm, 200 mm

Tranches de production par chargement: 100

Plage d’épaisseur des tranches: 300 – 1700 µm

Plage de température: 950 ° C – 1150 ° C

Configuration de la chambre: Cross-flow

Gaz utilisés: oxygène, hydrogène, azote, TransLC

Contrôle du débit massique: ± 5 sccm du débit de gaz cible

Environnement de recuit: hydrogène / oxygène

Matériau de la tranche: silicium, silicium sur isolant (SOI)