Offre de service

Annealsys conçoit et fabrique des machines pour les procédés de traitement thermique rapide (RTP) et de dépôt chimique en phase vapeur (CVD et ALD). Nos clients sont des laboratoires de recherche pour du développement de procédé et des entreprises pour des applications de production dans les domaines du semi-conducteur, des nanotechnologies, des MEMS, des capteurs, des cellules solaires, etc.

Les fours RTP utilisent la technologie des chambres à parois froides avec des lampes halogènes infrarouges. Les versions haute température permettent d’atteindre 1450°C. Il est possible de réaliser des procédés à pression atmosphérique sous différents types de gaz, sous vide ou sous vide secondaire. Certains fours sont disponibles en version RTCVD pour faire des dépôts à partir de gaz et quelques procédés ALD. Un four RTP haute température permettant de faire des procédés à 2000°C est disponible pour le recuit d’implantation de plaques de carbure de silicium et la génération de graphène par sublimation du silicium à partir de SiC.

Les machines de dépôt de couches minces DLI-CVD sont équipées d’évaporateurs à injection liquide directe (DLI). Ces machines sont disponibles pour des substrats jusqu’à 50, 100 ou 200 mm. La machine 50 mm (MC-050) utilise un chauffage par lampes et permet de faire des recuits in-situ. Tous les réacteurs DLI-CVD peuvent fonctionner en mode DLI-ALD et pulse pressure CVD. Le plasma est disponible en option.
La société dispose d’un laboratoire avec des machines RTP et DLI-CVD et elle propose un service de procédé pour les applications de recuit thermique et de dépôt de couches minces d’oxydes et de matériaux 2D. Nous avons la possibilité de développer des procédés innovant pour nos clients.

Mission

Développement de fours RTP innovants pour pousser les limites des procédés de recuit rapide: haute température, vide, recuit pulsé, et possibilités de dépôts RTCVD et ALD.

Développement de machine de dépôts de couches minces par CVD à injection liquide directe à partir de précurseurs orgamétalliques.

Développement de procédés de recuit et de dépôts de couches minces par CVD et ALD.

Compétences

Procédés de recuit rapide: recuit d’implantation, recuit de contact, oxydation thermique rapide, etc. Traitement thermique de substrats thermiquement sensibles.
Dépôts d’oxydes complexes, de métaux et de nitrures par CVD et ALD à injection liquide directe à partir de précurseurs organo-métalliques.
Croissance de matériaux 2D: graphène, nitrure de bore hexagonal (h-BN) et Dichalcogènures de métaux de transition (MoS2, WS2, etc.)