Au C2MI, l’équipement Versalis de SPTS possède plusieurs chambres permettant différents types de gravures par plasma. Le module Rapier est utilisé pour la gravure profonde de Silicium (Deep Reactive Ion Etching). Utilisant une double source plasma pour maximiser son uniformité, le taux de gravure de cette chambre peut atteindre 17 um par minutes. Des profils de gravure complètement verticaux sont atteignables avec des ratios d’aspect pouvant aller jusqu’à 100 :1.
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